INVESTIGATION INTO DEPENDENCE OF CHEMICALLY-ETCHED EDGE PROFILES OF SILICON DIOXIDE FILMS ON ETCHANT CONCENTRATION AND TEMPERATURE

被引：10

作者：

HAKEN, RA ^{[1
]}

BAKER, IM ^{[1
]}

BEYNON, JDE ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON,DEPT ELECT,SOUTHAMPTON,ENGLAND

来源：

THIN SOLID FILMS | 1973年 / 18卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(73)90233-2

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：S3 / S6

页数：4

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共 2 条

[1]

DAY J, 1968, KODAK PHOTORESIST SE, V2, P4

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