GAAS HALL-EFFECT DEVICES FABRICATED BY ION-IMPLANTATION TECHNIQUE

被引：10

作者：

INADA, T

OHKUBO, T

KATO, S

KITAHARA, M

KANDA, Y

HARA, T

机构：

[1] HAMAMATSU UNIV,SCH MED,HAMAMATSU 43131,JAPAN

[2] MATSUSHITA RES INST TOKYO INC,TAMA KU,KAWASAKI 214,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780338

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：503 / 505

页数：3

共 6 条

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