AL0.3GA0.7AS/GAAS METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR FABRICATED ON AN INP SUBSTRATE

被引：8

作者：

AGARWALA, S

PATIL, MB

PENG, CK

MORKOC, H

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99878

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：2

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共 11 条

[11] ZANIO K, IN PRESS ELECTRON LE