ELECTRON-STATES IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：35

作者：

SERNELIUS, BE

BERGGREN, KF

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES | 1981年 / 43卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1080/01418638108225805

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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