TRENDS OF DEEP LEVEL ELECTRON TRAPS IN ALXGA1-XAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：15

作者：

PUECHNER, RA

JOHNSON, DA

MARACAS, GN

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1063/1.100333

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1952 / 1954

页数：3

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