SILICON OXIDATION STUDIES - ANALYSIS OF SIO2 FILM GROWTH DATA

被引：89

作者：

IRENE, EA ^{[1
]}

VANDERMEULEN, YJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2133080

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1380 / 1384

页数：5

共 10 条

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