OBSERVATION OF ADDITIONAL EXCITED-STATE LINES OF INDIUM IN SILICON

被引：5

作者：

COVINGTON, BC

HARRIS, RJ

SPRY, RJ

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1980年 / 22卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.22.778

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：778 / 781

页数：4

共 5 条

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