ELECTRON-SPIN-RESONANCE STUDY OF DEFECTS IN PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITED SILICON-NITRIDE

被引：52

作者：

JOUSSE, D ^{[1
]}

KANICKI, J ^{[1
]}

KRICK, DT ^{[1
]}

LENAHAN, PM ^{[1
]}

机构：

[1] PENN STATE UNIV,DEPT ENGN SCI & MECH,UNIVERSITY PK,PA 16802

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 52卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99438

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：445 / 447

页数：3

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共 11 条

[11] ELECTRON-SPIN RESONANCE IN DISCHARGE-PRODUCED SILICON-NITRIDE [J].

YOKOYAMA, S ;

HIROSE, M ;

OSAKA, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1981, 20 (01) :L35-L37