GROWTH CHARACTERISTICS OF ALPHA-SILICON CARBIDE .2. EQUILIBRIUM CONSIDERATIONS

被引：15

作者：

HARRIS, JM

GATOS, HC

WITT, AF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2408042

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：338 / &

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共 6 条

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[J]. INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS, 1966, 21 (03) : 205 - &
[2] HARRIS J, TO BE PUBLISHED
[3] Lely A, 1955, BER DEUT KERAM GES, V8, P229
[4] Lewis T. J., 1969, MATER RES B, V4, P321
[5] MINIMIZING CERTAIN CONVEX FUNCTIONS
WARGA, J
[J]. JOURNAL OF THE SOCIETY FOR INDUSTRIAL AND APPLIED MATHEMATICS, 1963, 11 (03): : 588 - 593
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