WIGNER-FUNCTION MODEL OF A RESONANT-TUNNELING SEMICONDUCTOR-DEVICE

被引:289
作者
FRENSLEY, WR
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 36卷 / 03期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.36.1570
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:1570 / 1580
页数:11
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