A LOW-POWER HIGH-SPEED ION-IMPLANTED JFET FOR INP-BASED MONOLITHIC OPTOELECTRONIC ICS

被引：24

作者：

KIM, SJ

WANG, KW

VELLACOLEIRO, GP

LUTZE, JW

OTA, Y

GUTH, G

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1987年 / 8卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26714

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：518 / 520

页数：3

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