PREFERENTIAL SIO2 ETCHING ON SI SUBSTRATE BY PLASMA REACTIVE SPUTTER ETCHING

被引：46

作者：

MATSUO, S ^{[1
]}

TAKEHARA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1977年 / 16卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.175

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：175 / 176

页数：2

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共 4 条

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