FLUORINATION OF THE SILICON DIOXIDE SURFACE DURING REACTIVE ION AND PLASMA-ETCHING IN HALOCARBON PLASMAS

被引:40
作者
ROBEY, SW
OEHRLEIN, GS
机构
关键词
D O I
10.1016/0039-6028(89)90604-3
中图分类号
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
070304 ; 081704 ;
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页数:20
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