X-BAND AND KU-BAND AMPLIFIERS WITH GAAS SCHOTTKY-BARRIERS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：14

作者：

BAECHTOLD, W ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP, ZURICH RES LAB, RUSCHLIKON, SWITZERLAND

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1973年 / SC 8卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050344

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：54 / 58

页数：5

相关论文

共 5 条

[1] Q BAND GAAS FET AMPLIFIER AND OSCILLATOR
BAECHTOL.W
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1971, 7 (10) : 275 - &
[2] X AND KU BAND GAAS MESFET
BAECHTOLD, W
WOLF, P
WALTER, W
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1972, 8 (02) : 35 - +
[3] NOISE BEHAVIOR OF GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SHORT GATE LENGTHS
BAECHTOLD, W
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1972, ED19 (05) : 674 - +
[4] HIGH-SPEED GALLIUM-ARSENIDE SCHOTTKY-BARRIER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
DRANGEID, KE
SOMMERHALDER, R
WALTER, W
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1970, 6 (08) : 228 - +
[5] LIECHTI CA, 1972, ISSCC DIG TECH PAPER, P158