HETEROEPITAXIAL GROWTH OF LOWER BORON PHOSPHIDE ON SILICON SUBSTRATE USING PH3-B2H6-H2 SYSTEM

被引：15

作者：

TAKIGAWA, M ^{[1
]}

HIRAYAMA, M ^{[1
]}

SHOHNO, K ^{[1
]}

机构：

[1] SOPHIA UNIV,DEPT ELECTR,CHIYODA,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.1504

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1504 / 1509

页数：6

共 8 条

[1] OPTICAL ABSORPTION ELECTROLUMINESCENCE + BAND GAP OF BP [J].

ARCHER, RJ ;

LOEBNER, EE ;

KOYAMA, RY ;

LUCAS, RC .

[2]

Burmeister R.A., 1965, Bull. Amer. Phys. Soc, V10, P1184

JOYCE, BA ;

BRADLEY, RR .

[4]

KINOSHITA T, 1970, OYO BUTURI, V39, P788

MATKOVICH, V .

[6]

NISHINAGA T, 1970, J CRYST GROWTH, V13, P346

[7]

NOLDER R, 1963, T MET SOC AIME, V233, P549

[8]

WANG CC, 1964, RCA REV, V25, P159