SPONTANEOUS THERMAL ETCHING OF SILICON BY CF3 RADICALS

被引：5

作者：

ROBERTSON, RM

GOLDEN, DM

ROSSI, MJ

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1988年 / 6卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.575714

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1407 / 1408

页数：2

共 4 条

[1] MULTI-PHOTON IONIZATION OF THE TRIFLUOROMETHYL RADICAL [J].

DUIGNAN, MT ;

HUDGENS, JW ;

WYATT, JR .

HACKETT, PA ;

WILLIS, C ;

GAUTHIER, M .

[3] CATALYZED GASEOUS ETCHING OF SILICON [J].

SELAMOGLU, N ;

MUCHA, JA ;

FLAMM, DL ;

IBBOTSON, DE .

VASILE, MJ ;

STEVIE, FA .