MODELING OF ANTIMONY PRECIPITATION IN SILICON

被引：6

作者：

BRABEC, T

SCHREMS, M

BUDIL, M

POETZL, HW

KUHNERT, W

PONGRATZ, P

STINGEDER, G

GRASSERBAUER, M

机构：

[1] LUDWIG BOLTZMANN INST FESTKORPERPHYS,VIENNA,AUSTRIA

[2] VIENNA TECH UNIV,INST ANGEW & TECHN PHYS,A-1040 VIENNA,AUSTRIA

[3] VIENNA TECH UNIV,INST ANALYT CHEM,A-1040 VIENNA,AUSTRIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096957

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：4