SODIUM-HYDROXIDE SOLUTION SHOWS SELECTIVE ETCHING OF BORON-DOPED SILICON

被引：10

作者：

BARYCKA, I

TETERYCZ, H

ZNAMIROWSKI, Z

机构：

[1] Instytut Technologii Elektronowej, Politechniki Wroclawskiej, 50-370 Wroclaw

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129035

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：345 / 346

页数：2