HALF-WIDTH AND PEAK-INTENSITY MEASUREMENT OF A ROCKING CURVE OBTAINED FROM SILICON ON SAPPHIRE USING SOFT-X-RAY BEAMS

被引:6
作者
KISHINO, S
IIDA, S
AOKI, S
MIZUTANI, T
WATANABE, T
机构
[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN
[2] HITACHI LTD,DIV SEMICONDUCTOR & INTEGRATED CIRCUIT,KODAIRA,TOKYO 187,JAPAN
关键词
D O I
10.1063/1.324043
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:3138 / 3140
页数:3
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