BIAS-DEPENDENT 1-F NOISE MODEL OF AN MOS-TRANSISTOR

被引:8
作者
BACKENSTO, WV [1 ]
VISWANANATHAN, CR [1 ]
机构
[1] UNIV CALIF LOS ANGELES,SCH ENGN & APPL SCI,LOS ANGELES,CA 90024
来源
IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION | 1980年 / 127卷 / 02期
关键词
Compendex;
D O I
10.1049/ip-i-1.1980.0016
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
TRANSISTORS, FIELD EFFECT
引用
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页数:7
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