INDUCED STRESS-SENSITIVITY OF ION-BOMBARDED SILICON-METAL CONTACTS

被引：6

作者：

CHINO, KI

ARIYOSHI, H

MIZUSHIMA, Y

NAKAMURA, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1970年 / 9卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.9.406

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：406 / +

页数：1

相关论文

共 4 条

[1] EFFECT OF SURFACE POLISHING ON STRESS-SENSITIVITY OF A SCHOTTKY-BARRIER DIODE [J].

CHINO, K ;

ARIYOSHI, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1968, 7 (09) :1130-&

[2] STRESS EFFECT OF GOLD-DOPED AND GAMMA-IRRADIATED SCHOTTKY-BARRIER DIODES [J].

CHINO, KI ;

OKAMOTO, H ;

ARIYOSHI, H ;

MIZUSHIMA, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1969, 8 (04) :502-+

[3] RANGES OF 7.5-KEV TO 52-KEV H-2+, D2+, HE+, AND NE+ IONS IN QUARTZ [J].

HINES, RL .

PHYSICAL REVIEW, 1960, 120 (05) :1626-1630

[4]

VANWIENIGEN A, 1956, PHYSICA, V92, P849