AN ANALYTIC MODEL FOR MINORITY-CARRIER TRANSPORT IN HEAVILY DOPED REGIONS OF SILICON DEVICES

被引：60

作者：

FOSSUM, JG

SHIBIB, MA

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1981年 / 28卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20478

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1018 / 1025

页数：8

相关论文

共 22 条

[21]

TANENBAUM M, 1956, AT&T TECH J, V35, P1

[22] ANALYSIS OF HIGH-EFFICIENCY SILICON SOLAR-CELLS [J].

WEAVER, HT ;

NASBY, RD .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1981, 28 (05) :465-472