AN ULTRAHIGH SPEED MODULATED BARRIER PHOTO-DIODE MADE ON P-TYPE GALLIUM-ARSENIDE SUBSTRATES

被引：14

作者：

CHEN, CY

CHO, AY

GARBINSKI, PA

BETHEA, CG

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25437

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：290 / 292

页数：3

共 5 条

[1]

CHEN CT, UNPUBLISHED

CHEN, CY ;

CHO, AY ;

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[3]

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