CHARGE-ORIENTED MODEL FOR MOS-TRANSISTOR CAPACITANCES

被引：263

作者：

WARD, DE

DUTTON, RW

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1978年 / 13卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1978.1051123

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：703 / 708

页数：6

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共 3 条

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