EFFECT OF SURFACE IMPERFECTIONS ON GALLIUM DIFFUSION IN SILICON ( 1200DEGREES C E )

被引：8

作者：

KREN, JG

WAJDA, ES

MASTERS, BJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754046

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：49 / &

共 7 条

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