HIGH-TEMPERATURE METALLIZATION SYSTEMS FOR TRANSIENT ANNEALING OF GAAS

被引：3

作者：

MORGAN, DV

THOMAS, H

ANDERSON, WT

THOMPSON, P

CHRISTOU, A

DISKETT, DJ

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

[2] ROYAL MIL COLL SCI,SWINDON SN6 8LA,WILTS,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870804

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1154 / 1155

页数：2