GATE-VOLTAGE DEPENDENCE OF SOURCE AND DRAIN SERIES RESISTANCES AND EFFECTIVE GATE LENGTH IN GAAS-MESFETS

被引：33

作者：

BYUN, YH

SHUR, MS

PECZALSKI, A

SCHUERMEYER, FL

机构：

[1] USAF,WRIGHT AERONAUT LABS,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

[2] HONEYWELL SYST & RES CTR,MINNEAPOLIS,MN 55418

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.2543

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：6