ION-BEAM EPITAXY OF SILICON ON GE AND SI AT TEMPERATURES OF 400-K

被引：76

作者：

ZALM, PC

BECKERS, LJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.93441

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：167 / 169

页数：3

共 5 条

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