SEMI-INSULATING GAAS SUBSTRATES FOR INTEGRATED-CIRCUIT DEVICES - PROMISES AND PROBLEMS

被引：4

作者：

EASTMAN, LF

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.570339

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2050 / 2053

页数：4

共 13 条

[1]

Antypas G.A., COMMUNICATION

[2]

BARRERA J, 1975, 5TH P BIENN CORN C M

BOZLER, CO ;

DONNELLY, JP ;

LINDLEY, WT ;

REYNOLDS, RA .

[4] RECTIFICATION AT N-N GAAS - (GA, AL)AS HETEROJUNCTIONS [J].

CHANDRA, A ;

EASTMAN, LF .

[5]

COX HR, COMMUNICATION

[6]

HICKS HGB, 1970, P INT S GAAS RELATED

HILSUM, C .

LANG, DV .

[9]

LINH NT, COMMUNICATION

[10] PURITY OF GAAS GROWN BY LPE IN A GRAPHITE BOAT [J].

MORKOC, H ;

EASTMAN, LF .