STUDY OF POLYTYPISM IN SILICON CARBIDE BY X-RAY DIFFRACTION TOPOGRAPHY

被引：11

作者：

WALLACE, CA

机构：

来源：

ZEITSCHRIFT FUR KRISTALLOGRAPHIE KRISTALLGEOMETRIE KRISTALLPHYSIK KRISTALLCHEMIE | 1968年 / 126卷 / 5-6期

关键词：

D O I：

10.1524/zkri.1968.126.5-6.444

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：444 / &

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