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DRIFT MOBILITIES IN SEMICONDUCTORS .2. SILICON
被引:203
作者
:
PRINCE, MB
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
PRINCE, MB
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW
|
1954年
/ 93卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRev.93.1204
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:1204 / 1206
页数:3
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[1]
THEORY OF IMPURITY SCATTERING IN SEMICONDUCTORS
[J].
CONWELL, E
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0
CONWELL, E
;
WEISSKOPF, VF
论文数:
0
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0
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0
WEISSKOPF, VF
.
PHYSICAL REVIEW,
1950,
77
(03)
:388
-390
[2]
CONWELL E, 1946, PHYS REV, V69, P258
[3]
FULLER, UNPUB
[4]
THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN SILICON
[J].
HAYNES, JR
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HAYNES, JR
;
WESTPHAL, WC
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WESTPHAL, WC
.
PHYSICAL REVIEW,
1952,
85
(04)
:680
-680
[5]
DRIFT MOBILITIES IN SEMICONDUCTORS .1. GERMANIUM
[J].
PRINCE, MB
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PRINCE, MB
.
PHYSICAL REVIEW,
1953,
92
(03)
:681
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[1]
THEORY OF IMPURITY SCATTERING IN SEMICONDUCTORS
[J].
CONWELL, E
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CONWELL, E
;
WEISSKOPF, VF
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0
WEISSKOPF, VF
.
PHYSICAL REVIEW,
1950,
77
(03)
:388
-390
[2]
CONWELL E, 1946, PHYS REV, V69, P258
[3]
FULLER, UNPUB
[4]
THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN SILICON
[J].
HAYNES, JR
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0
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0
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0
HAYNES, JR
;
WESTPHAL, WC
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0
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0
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0
WESTPHAL, WC
.
PHYSICAL REVIEW,
1952,
85
(04)
:680
-680
[5]
DRIFT MOBILITIES IN SEMICONDUCTORS .1. GERMANIUM
[J].
PRINCE, MB
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0
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PRINCE, MB
.
PHYSICAL REVIEW,
1953,
92
(03)
:681
-687
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