TRAPPING AND RECOMBINATION CENTERS IN PLASTICALLY BENT SILICON

被引：1

作者：

MATSUURA, K

INUISHI, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1962年 / 17卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.17.874

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：874 / &

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