HAFNIUM-SILICON SCHOTTKY BARRIERS - LARGE BARRIER HEIGHT ON PARA-TYPE SILICON AND OHMIC BEHAVIOR ON TYPE SILICON

被引：20

作者：

SAXENA, AN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653826

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：1

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