BEHAVIOR OF AL-SI SCHOTTKY-BARRIER DIODES UNDER HEAT-TREATMENT

被引：64

作者：

CHINO, K ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEG & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90132-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：119 / &

共 4 条

[1]

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