PLANAR EPITAXIAL SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

被引：36

作者：

KAHNG, D

LEPSELTE.MP

机构：

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1965年 / 44卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1965.tb04191.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1525 / +

共 12 条

[1] CROWELL CR, 1965, T METALL SOC AIME, V233, P478
[2] HERNDON M, 1964, P IEEE, V52, P975
[3] IRVIN JC, 13 US ARM SIGN RD LA
[4] IRVIN JC, 1963, DA36039SC89205 CONTR
[5] GOLD-EPITAXIAL SILICON HIGH-FREQUENCY DIODES
KAHNG, D
DASARO, LA
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1964, 43 (1P1): : 225 - +
[6] AU-N-TYPE GAAS SCHOTTKY BARRIER + ITS VARACTOR APPLICATION
KAHNG, D
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1964, 43 (1P1): : 215 - +
[7] KAHNG D, 1963, DA36039SC89205 CONTR
[8] KAHNG D, 12 US ARM SIGN RD LA
[9] KRAKAUER SM, 1963, ELECTRONICS, V29, P53
[10] LEPSELTER MP, 1965, MAY ECS M SAN FRAN