FLASH LAMP ANNEALING OF ARSENIC IMPLANTED SILICON

被引：24

作者：

KLABES, R ^{[1
]}

MATTHAI, J ^{[1
]}

VOELSKOW, M ^{[1
]}

KACHURIN, GA ^{[1
]}

NIDAEV, EV ^{[1
]}

BARTSCH, H ^{[1
]}

机构：

[1] AKAD WISSENSCH DDR,INST FESTKORPERPHYS & ELEKTRONENMIKROSKOPIE,DDR-4020 HALLE SAALE,GER DEM REP

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1981年 / 66卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210660131

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：261 / 266

页数：6

共 14 条

OHMURA, Y ;

INOUE, T ;

YAMAMOTO, Y .

[12] SCANNING-ELECTRON-BEAM ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON [J].

REGOLINI, JL ;

GIBBONS, JF ;

SIGMON, TW ;

PEASE, RFW ;

MAGEE, TJ ;

PENG, J .

[13]

SEALY BJ, 1979, J CRYSTAL GROWTH, V48, P655

[14]

TOULOUKIAN YS, 1970, THERMOPHYSICAL PROPE, V5, P202