LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALLINE SILICON FROM SILANE

被引:23
作者
RICHMAN, D
ARLETT, RH
机构
[1] RCA Laboratories, Princeton, New Jersey
关键词
D O I
10.1149/1.2412092
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
[No abstract available]
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