LEFFET PHOTOVOLTAIQUE DE SURFACE DANS LE SILICIUM ET SON APPLICATION A LA MESURE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES

被引：20

作者：

QUILLIET, A

GOSAR, MP

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM | 1960年 / 21卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1051/jphysrad:01960002107057500

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：575 / 578

页数：4

共 6 条

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