OXIDE THICKNESS EFFECTS ON ELECTRON SCATTERINGS AT A THERMALLY GROWN SI-SIO2 INTERFACE

被引：19

作者：

YAGI, A

KAWAJI, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.90333

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：349 / 350

页数：2

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共 3 条

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