INSITU MONITORING OF WAFER CHARGING DURING ION-IMPLANTATION

被引：4

作者：

BENVENISTE, V

FRIEDMAN, HE

MACK, ME

SINCLAIR, F

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(89)90248-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：568 / 571

页数：4

共 4 条

[1]

BASRA VK, 1987, ION IMPLANTATION TEC, P360

[2] ION-BEAM INDUCED WAFER CHARGING [J].

DOHERTY, BJ ;

MCCARRON, DJ .

[3] CHARGING AND CHARGE NEUTRALIZATION IN ION-IMPLANTATION [J].

MACK, ME .

[4]

TONG R, 1985, ION IMPLANTATION EQU, P376