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A 256K BIT DYNAMIC RAM
被引:6
作者
:
MATSUE, S
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
MATSUE, S
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YAMAMOTO, H
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
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KOBAYASHI, K
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
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KOBAYASHI, K
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WADA, T
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
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TAMEDA, M
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
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OKUDA, T
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NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
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INAGAKI, Y
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机构
:
[1]
NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,JAPAN
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1980年
/ 15卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/JSSC.1980.1051485
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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相关论文
共 4 条
[1]
CENKER R, 1979, ISSCC DIG TECH PAPER, P150
[2]
SINGLE TRANSISTOR MOS RAM USING A SHORT-CHANNEL MOS-TRANSISTOR
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YANO, T
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YANO, T
[J].
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1978,
13
(02)
: 218
-
224
[3]
MAY TC, 1978, 16TH ANN P 1978 INT, P33
[4]
SCHROEDER PR, 1979, ISSCC DIG TECH PAPER, P12
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共 4 条
[1]
CENKER R, 1979, ISSCC DIG TECH PAPER, P150
[2]
SINGLE TRANSISTOR MOS RAM USING A SHORT-CHANNEL MOS-TRANSISTOR
IEDA, N
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YANO, T
[J].
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1978,
13
(02)
: 218
-
224
[3]
MAY TC, 1978, 16TH ANN P 1978 INT, P33
[4]
SCHROEDER PR, 1979, ISSCC DIG TECH PAPER, P12
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