THEORY OF BOUND-STATES ASSOCIATED WITH N-TYPE INVERSION LAYERS ON SILICON

被引：47

作者：

MARTIN, BG

WALLIS, RF

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1978年 / 18卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.18.5644

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：5644 / 5648

页数：5

共 11 条

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