THE OXIDATION RATE DEPENDENCE OF OXIDATION-ENHANCED DIFFUSION OF BORON AND PHOSPHORUS IN SILICON

被引：68

作者：

LIN, AM ^{[1
]}

ANTONIADIS, DA ^{[1
]}

DUTTON, RW ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1981年 / 128卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2127564

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1131 / 1137

页数：7

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共 21 条

[21] TSUKAMOTO Y, 1979 INT EL DEV M WA