RELATIONSHIP OF RESISTIVITY TO ARSENIC CONCENTRATION FOR HEAVILY DOPED N-TYPE SILICON

被引：6

作者：

CHIU, TL

GHOSH, HN

机构：

来源：

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT | 1971年 / 15卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1147/rd.156.0477

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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页码：477 / &

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共 2 条

[1] DIFFUSION MODEL FOR ARSENIC IN SILICON [J].

CHIU, TL ;

GHOSH, HN .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1971, 15 (06) :472-&

[2] RESISTIVITY OF BULK SILICON AND OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON [J].

IRVIN, JC .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1962, 41 (02) :387-+