LOCATION OF 1/F NOISE SOURCES IN BJTS .2. EXPERIMENT

被引：25

作者：

PAWLIKIEWICZ, AH ^{[1
]}

VANDERZIEL, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MINNESOTA,DEPT ELECT ENGN,MINNEAPOLIS,MN 55455

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23188

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2009 / 2012

页数：4

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[11]

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[12] 1/F NOISE IN N+-P-N MICROWAVE TRANSISTORS [J].

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