THE EFFECT OF THE GAP DOS IN A-SI ON THE PROPERTIES ON THE A-SI/C-SI HETEROJUNCTION

被引：3

作者：

XU, ZY

CHEN, W

ZHAO, BF

WANG, CA

ZHANG, FQ

WANG, JY

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(87)90237-7

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：983 / 986

页数：4

共 5 条

[1] PHYSICS OF AMORPHOUS-SILICON ALLOY P-I-N SOLAR-CELLS [J].

HACK, M ;

SHUR, M .

MATSUURA, H ;

OKUNO, T ;

OKUSHI, H ;

TANAKA, K .

OKUDA, K ;

OKAMOTO, H ;

HAMAKAWA, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1983, 22 (09) :L605-L607

RUBINELLI, F ;

ALBORNOZ, S ;

BUITRAGO, R .

[5]

SICHANUGRIST P, J APPL PHYS, V55, P1155