GROWTH OF GE-GAAS AND GAP-SI HETEROJUNCTIONS BY LIQUID-PHASE EPITAXY

被引：12

作者：

ROSZTOCZY, FE

STEIN, WW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2404411

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1119 / +

页数：1

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共 5 条

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