CHARACTERISTICS OF MOSFETS FABRICATED IN SILICON-ON-INSULATOR MATERIAL FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN ION-IMPLANTATION

被引：41

作者：

LAM, HW

PINIZZOTTO, RF

YUAN, HT

BELLAVANCE, DW

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810251

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：356 / 358

页数：3

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共 4 条

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