ENHANCED DIFFUSION AND LATTICE LOCATION OF INDIUM AND GALLIUM IMPLANTED IN SILICON

被引：18

作者：

GAMO, K

IWAKI, M

MASUDA, K

NAMBA, S

ISHIHARA, S

KIMURA, I

MITCHELL, IV

ILIC, G

WHITTON, JL

DAVIES, JA

机构：

[1] OSAKA UNIV,FAC ENGN SCI,DEPT ELECT ENGN,TOYONAKA,OSAKA,JAPAN

[2] KYOTO UNIV,RES REACTOR INST,SENNAN,OSAKA,JAPAN

[3] ATOM ENERGY CANADA LTD,CHALK RIVER NUCL LABS,CHALK RIVER,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.735

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：735 / 741

页数：7