INVESTIGATION OF GROWTH PROCESSES OF INGOTS OF SILICON-CARBIDE SINGLE-CRYSTALS

被引：488

作者：

TAIROV, YM

TSVETKOV, VF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(78)90169-0

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：209 / 212

页数：4

共 13 条

[1]

GOLIGHTLY JP, 1969, MATER RES B, V4, P119

[2]

Gundarev V. M., 1973, GROWING SINGLE CRYST, P121

[3]

HERGENROTHER RM, 1960, SILICON CARBIDE HIGH, P60

LANG, AR .

[5]

Lely A, 1955, BER DEUT KERAM GES, V8, P229

[6]

MOKHOV EN, 1974, THESIS VI LENIN ELEC

[7] VAPOR-PHASE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS OF II-VI COMPOUNDS [J].

PIPER, WW ;

POLICH, SJ .

[8]

SMILTENS J, USAF1974 AFCRL AFSC

TAIROV, YM ;

TSVETKOV, VF ;

LILOV, SK ;

SAFARALIEV, GK .

[10]

TAIROV YM, 1972, 4TH ALL UN C GROWT 1, P82